功能描述：MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK

制造商：infineon technologies

系列：HEXFET?

包装：管件

零件状态：过期

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：30A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 16A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：25nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：880pF @ 25V

功率 - 最大值：3.8W

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：D2PAK

标准包装：50

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